FP35R12KT4是英飛凌EconoDUAL™系列IGBT模塊,具有溝槽結(jié)構(gòu),并通過在傳統(tǒng)的NPT-IGBT的襯底和集電區(qū)之間加入一個n型摻雜附加層,這個附加層被稱為電場終止(fieldstop),這樣結(jié)合了 PT 和 NPT 技術(shù)的優(yōu)勢。該技術(shù)可使靜態(tài)和動態(tài)損耗減至最小,加上 IGBT3 具有更高電流密度,它還可擴(kuò)展系列產(chǎn)品的功率范圍。硅片結(jié)溫可高達(dá)175℃,運(yùn)行溫度可達(dá)150℃。低損耗,F(xiàn)P35R12KT4 IGBT模塊具有低EMI噪聲,高可靠性,高運(yùn)行結(jié)溫等優(yōu)點(diǎn)。主要應(yīng)用在100KW光伏逆變器,電機(jī)驅(qū)動,電源等領(lǐng)域。
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