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WMS-208AT型激光非接觸式厚度分選機(jī)

參考價(jià)面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 公司名稱北京三禾泰達(dá)技術(shù)有限公司
  • 品       牌
  • 型       號(hào)
  • 所  在  地北京市
  • 廠商性質(zhì)其他
  • 更新時(shí)間2024/5/21 15:59:27
  • 訪問次數(shù)114
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北京三禾泰達(dá)技術(shù)有限公司成立于2003年1月21日2018~2020年間共取得11項(xiàng)產(chǎn)品軟件著作權(quán)2018年激光干涉測(cè)平儀項(xiàng)目獲得北京市朝陽(yáng)區(qū)頒發(fā)的研發(fā)能力提升獎(jiǎng)勵(lì)2020年被認(rèn)定為企業(yè)。2021年被認(rèn)定為中關(guān)村企業(yè)2021年2月有10項(xiàng)實(shí)用新型申請(qǐng)被國(guó)家局受理。十幾年來(lái)公司通過在測(cè)量領(lǐng)域的深耕和拓展,為市場(chǎng)提供了數(shù)款性價(jià)比的測(cè)量?jī)x器,其中7種儀器。公司產(chǎn)品主要面向五個(gè)大的市場(chǎng)方向: 半導(dǎo)體WAFER平面度/厚度檢測(cè)、光學(xué)玻璃幾何參數(shù)特征檢測(cè)、利用近紅外光進(jìn)行砷化鎵/硅晶體缺陷檢測(cè)、壓電水晶諧振器電學(xué)參數(shù)檢測(cè)以及激光傳感器應(yīng)用研究,我們的產(chǎn)品包括:LINT-208G型WAFER平坦度半自動(dòng)測(cè)試儀,該儀器目前;LINT-208G型WAFER平坦度/厚度全自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng),該儀器目前;LST-208H型共聚焦法平面度測(cè)試儀,該系統(tǒng)處于國(guó)內(nèi)水平;ALC-2120型在線自動(dòng)研磨頻率控制儀,該儀器當(dāng)年;ALC-SI型硅在線自動(dòng)研磨厚度控制儀,該儀器當(dāng)年;TCS-A型電渦流在線研磨厚度控制儀,該儀器目前;ABS-2000型壓電水晶BLANK頻率分選機(jī)TMI-A型激光厚度測(cè)量?jī)x,該儀器目前;WMS-208AT型WAFER 激光全自動(dòng)厚度分選機(jī),該儀器市場(chǎng)反應(yīng)良好;我們的宗旨是通過向世界提供高技術(shù)高精度的測(cè)量?jī)x器和高水平的服務(wù)提升中國(guó)在檢測(cè)及激光傳感器領(lǐng)域的總體水平。我們的目標(biāo)是在激光測(cè)量領(lǐng)域做到世界。
手動(dòng)測(cè)厚儀
WMS-208AT型激光非接觸式厚度分選機(jī)設(shè)備性能及技術(shù)參數(shù):1.設(shè)備功能實(shí)現(xiàn)全自動(dòng)對(duì)碳化硅、單晶硅、多晶硅、鍺、砷化鎵、藍(lán)寶石、陶瓷板、手機(jī)面板玻璃、藍(lán)玻璃、石英晶體片材等各種WAFER平板材料厚度等幾何特征及電學(xué)參數(shù)的精確測(cè)量及記錄
WMS-208AT型激光非接觸式厚度分選機(jī) 產(chǎn)品信息
WMS-208AT型激光非接觸式厚度分選機(jī)
WMS-208AT型激光非接觸式厚度分選機(jī)

設(shè)備性能及技術(shù)參數(shù): 1.設(shè)備功能

實(shí)現(xiàn)全自動(dòng)對(duì)碳化硅、單晶硅、多晶硅、鍺、砷化鎵、藍(lán)寶石、陶瓷板、手機(jī)面板玻璃、藍(lán)玻璃、石英晶體片材等各種 WAFER 平板材料厚度等幾何特征及電學(xué)參數(shù)的精確測(cè)量及記錄。

2.適用范圍

可用于測(cè)量工件尺寸為 Φ2---Φ8(INCH)直徑的圓形及方型晶片或其它任意材質(zhì)的平板。

3.測(cè)量精度及量程

厚度量程:100---1800um,測(cè)量精度與 WAFER 表面光潔度有些許聯(lián)系, 即:

測(cè)量重復(fù)精度(半導(dǎo)體類雙拋表面 WAFER):±0.5um ;

測(cè)量重復(fù)精度(半導(dǎo)體類研磨表面 WAFER): ±1um ;


測(cè)量重復(fù)精度(藍(lán)寶石類單拋表面 WAFER):±2um ; 4.工作模式選擇

本機(jī)共有五種測(cè)量模式以對(duì)應(yīng)用戶不同的需求。

4.1 標(biāo)準(zhǔn)一電測(cè)量:按照半導(dǎo)體行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)對(duì) WAFER 中心點(diǎn)的厚度進(jìn)行測(cè)量。

4.2 標(biāo)準(zhǔn) 5 點(diǎn)測(cè)量:按照半導(dǎo)體行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)對(duì) WAFER 的靠近邊沿的 4 點(diǎn)左上、左下、右上及右下)及中心點(diǎn)的厚度進(jìn)行測(cè)量。

4.3 企業(yè)內(nèi)部標(biāo)準(zhǔn)一點(diǎn)測(cè)量:用戶自己定義的 WAFER 缺口附近的一個(gè)點(diǎn)的厚度進(jìn)行測(cè)量。

4.420 點(diǎn)以內(nèi)隨機(jī)點(diǎn)測(cè):用戶自己根據(jù)生產(chǎn)需要可以在 20 個(gè)點(diǎn)以內(nèi),用鼠標(biāo)WAFER 上選擇任意位置并對(duì)其厚度進(jìn)行測(cè)量。

4.5 連續(xù)點(diǎn)測(cè)量:在由兩個(gè)端點(diǎn)確定的一條直線路徑上可以進(jìn)行 100 點(diǎn)的連續(xù)厚度測(cè)量以檢查晶片的表面形態(tài)。

5.分選速度

為了保證不造成對(duì) WAFER 表面造成損傷,研究人員建議的安全分選速度為:

>單點(diǎn)或中心測(cè)量模式速度: ≥130 片/小時(shí)

>標(biāo)準(zhǔn) 5 點(diǎn)測(cè)量速度:≥110 片/小時(shí)

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