本設(shè)備主要用于半導(dǎo)體刻蝕,能夠兼容離子束刻蝕和反應(yīng)離子刻蝕功能,使用氣態(tài)化學(xué)刻蝕劑與材料產(chǎn)生反應(yīng)來進行刻蝕,并形成可從襯底上移除的揮發(fā)性副產(chǎn)品,通過真空系統(tǒng)排出,特別適合刻蝕熔融石英、硅、光刻膠、聚酷亞胺( PI) 薄膜、金屬等材料。
|尺寸:Φ2000mm
|刻蝕材料:石英、硅、金屬、光刻膠等一切材料
|刻蝕均勻性:2%~8%(光刻膠)
|刻蝕速率:50nm~500nm/min真空度(極限):5x10-4Pa
|氣路MFC:標配6種氣體,耐腐蝕±0.5%FSI
|刻蝕表面粗糙增加值:優(yōu)于0.2nm
可根據(jù)客戶技術(shù)要求,定制研發(fā)生產(chǎn),歡迎咨詢。