單片晶圓清洗機(jī)產(chǎn)品介紹

——高精度、低損傷、全兼容的半導(dǎo)體清洗解決方案

核心優(yōu)勢(shì)

獨(dú)立腔體設(shè)計(jì)，零交叉污染

采用模塊化腔體結(jié)構(gòu)（清洗、漂洗、干燥獨(dú)立分區(qū)），避免槽式清洗的交叉污染風(fēng)險(xiǎn)，確保每片晶圓潔凈度一致。

腔壁材料可選PFA或316L不銹鋼，耐腐蝕且易清潔，支持RCA、DHF等復(fù)雜工藝配方。

精密工藝控制，適配制程

溫度、壓力、流速等參數(shù)控制精度達(dá)±1%，滿足28nm及以上制程對(duì)顆粒（<25nm）和金屬污染的嚴(yán)苛要求。

支持兆聲波（MHz級(jí)）清洗，高效剝離深溝槽結(jié)構(gòu)中的微小顆粒，適用于5nm以下節(jié)點(diǎn)。

低損傷傳輸與干燥技術(shù)

非接觸式傳輸：伯努利真空抓取或靜電吸附技術(shù)，避免薄型晶圓（100μm~700μm）機(jī)械損傷。

IPA蒸鍍干燥：異丙醇蒸氣置換水分，結(jié)合低溫烘烤（100℃），無(wú)水痕殘留，杜絕氧化風(fēng)險(xiǎn)。

智能化與環(huán)保兼?zhèn)?/p>

AI工藝優(yōu)化：實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)顆粒、金屬釋放量（如GFT測(cè)試），自動(dòng)調(diào)整藥液配比和清洗時(shí)間。

廢液閉環(huán)處理：分類(lèi)回收酸堿廢液，中和后排放，符合RoHS/REACH標(biāo)準(zhǔn)，降低環(huán)保成本。

國(guó)產(chǎn)化替代，高性?xún)r(jià)比

兼容12寸晶圓，支持28nm及以上制程，打破海外壟斷。

設(shè)備維護(hù)成本低，耗材壽命延長(zhǎng)30%（如自清潔噴嘴設(shè)計(jì)），降低長(zhǎng)期運(yùn)營(yíng)費(fèi)用。

典型應(yīng)用場(chǎng)景

前道工藝：光刻膠去除、刻蝕后清洗、氧化物/氮化物薄膜清洗。

封裝：扇出型封裝（FO WLP）、3D封裝基板清洗，保障焊盤(pán)潔凈度。

化合物半導(dǎo)體：GaN、SiC材料清洗，適應(yīng)高溫強(qiáng)酸工藝需求。

客戶(hù)價(jià)值

提升良率：顆?？刂颇芰μ嵘?0%，缺陷率降低至<0.1%。

縮短周期：?jiǎn)纹逑磿r(shí)間≤15分鐘，支持高產(chǎn)能需求（如HVM模式）。

國(guó)產(chǎn)自主可控：打破海外技術(shù)壁壘，助力半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈安全。

——單片晶圓清洗機(jī)，以精密工藝護(hù)航芯片制造，為高性能與低成本提供雙重保障！