摘要：近年來(lái)，國(guó)際IC產(chǎn)業(yè)變化加快，幾家龍頭大廠不斷增加資本投入力度，制程工藝也得到提升。與此同時(shí)，國(guó)內(nèi)IC業(yè)因?yàn)?ldquo;國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)基金”(大基金)等的設(shè)立，受到業(yè)內(nèi)外的廣泛關(guān)注。應(yīng)當(dāng)如何看待集成電路產(chǎn)業(yè)新出現(xiàn)的發(fā)展趨勢(shì)?如何借國(guó)家政策助推之力追趕國(guó)際先進(jìn)水平?在近日中國(guó)科學(xué)院微電子所舉辦的“第二屆科技開(kāi)放日”上，記者采訪了中國(guó)科學(xué)院微電子研究所所長(zhǎng)葉甜春。

　　
　　現(xiàn)在產(chǎn)業(yè)談不上過(guò)熱
　　
　　現(xiàn)在的半導(dǎo)體行業(yè)還遠(yuǎn)遠(yuǎn)談不上過(guò)熱，只是預(yù)熱罷了。一個(gè)高速發(fā)展的行業(yè)，適度的泡沫是需要的。
　　
　　記者：大基金建立已有半年左右時(shí)間。經(jīng)過(guò)這半年來(lái)的運(yùn)行，您認(rèn)為其有何經(jīng)驗(yàn)與應(yīng)當(dāng)注意的地方?
　　
　　葉甜春：任何產(chǎn)業(yè)的發(fā)展都需要產(chǎn)業(yè)鏈、創(chuàng)新鏈與金融鏈的協(xié)同推進(jìn)。2008年隨著《核高基》、《集成電路專項(xiàng)》、《新一代無(wú)線通信》等國(guó)家科技重大專項(xiàng)的啟動(dòng)，我國(guó)開(kāi)始圍繞集成電路的產(chǎn)業(yè)鏈加快部署創(chuàng)新鏈;2011年發(fā)布的“關(guān)于進(jìn)一步鼓勵(lì)軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展若干政策”(國(guó)發(fā)〔2011〕4號(hào)文)，在資金、政策、融資、人才等方面為集成電路企業(yè)提供了重大支持，產(chǎn)業(yè)鏈建設(shè)加速;而2014年“國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要”(國(guó)發(fā)〔2014〕4號(hào)文)發(fā)布后，建立了的集成電路產(chǎn)業(yè)基金，同時(shí)鼓勵(lì)社會(huì)資本投入，激活了集成電路產(chǎn)業(yè)的金融鏈。這是建立大基金有意義的地方。
　　
　　至于你所說(shuō)的評(píng)價(jià)總結(jié)，現(xiàn)在還有點(diǎn)早。畢竟它才只投出幾個(gè)項(xiàng)目，還處于布局階段。不過(guò)，我這里可以給出二點(diǎn)建議：一是基金的布局應(yīng)當(dāng)加快步伐。有的時(shí)候機(jī)會(huì)稍縱即逝，資金只有投出去了，效果是好是壞才能看得出來(lái)，猶豫不決沒(méi)有任何作用。二是可以更多關(guān)注制造、裝備、材料等領(lǐng)域。這些領(lǐng)域可能投資風(fēng)險(xiǎn)更大，但是這些領(lǐng)域也更加需要國(guó)家資金的引導(dǎo)和支持。只有這些領(lǐng)域趕上來(lái)了，國(guó)家集成電路的整體實(shí)力才能提升。
　　
　　記者：有觀點(diǎn)認(rèn)為受大基金建立的影響，我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)現(xiàn)在有些過(guò)熱了。您怎么看?
　　
　　葉甜春：現(xiàn)在還遠(yuǎn)遠(yuǎn)談不上過(guò)熱，只是預(yù)熱罷了，行業(yè)也沒(méi)有出現(xiàn)過(guò)多的泡沫。一個(gè)高速發(fā)展的行業(yè)，適度的泡沫是需要的，當(dāng)然過(guò)多的泡沫是不利的，但現(xiàn)在還沒(méi)有達(dá)到這種程度。
　　
　　記者：觀察大基金現(xiàn)在實(shí)施的幾個(gè)投資案例，多為參與(或者支持)企業(yè)的并購(gòu)活動(dòng)。您認(rèn)為在扶持產(chǎn)業(yè)成長(zhǎng)上，是否應(yīng)當(dāng)有更多的手段?
　　
　　葉甜春：扶持產(chǎn)業(yè)成長(zhǎng)，手段當(dāng)然是多樣的。但我認(rèn)為就現(xiàn)階段而言，國(guó)家基金的主要工作就是輔助企業(yè)完成并購(gòu)整合。因?yàn)槲覈?guó)企業(yè)僅靠自我循環(huán)發(fā)展是不夠的，并購(gòu)可以整合全球的資源，可以獲得更大的加乘效應(yīng)。另外，目前全球集成電路產(chǎn)業(yè)相對(duì)飽和，每年產(chǎn)業(yè)規(guī)模增長(zhǎng)速度也就5%左右。如果我們不從全球產(chǎn)業(yè)角度看問(wèn)題，盲目投入擴(kuò)大產(chǎn)能，產(chǎn)能過(guò)剩等問(wèn)題就有可能出現(xiàn)，進(jìn)而引起更加激烈的競(jìng)爭(zhēng)。這對(duì)中國(guó)企業(yè)來(lái)說(shuō)并不是一件好事。而通過(guò)并購(gòu)整合，可以把現(xiàn)有的資源拿來(lái)為我所用，既解決自身存在的問(wèn)題，又不致導(dǎo)致大量過(guò)剩產(chǎn)能問(wèn)題，這才是雙贏的局面。當(dāng)然了，有些工作是必須要中國(guó)企業(yè)自己完成的，比如涉及關(guān)鍵設(shè)備、材料等，事關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈、供應(yīng)鏈等。
　　
　　目前，大基金正處布局階段，在制造、封裝、設(shè)計(jì)等領(lǐng)域已經(jīng)有了投資案例，相信隨著晶圓制造等領(lǐng)域布局的初步完成，未來(lái)將會(huì)在裝備材料等領(lǐng)域加大力度。
　　
　　夯實(shí)基礎(chǔ)是大成就
　　
　　以前我們常說(shuō)中國(guó)集成電路與國(guó)際水平相差二代，這其實(shí)帶有一定自欺欺人的意味。
　　
　　記者：去年以來(lái)三星、臺(tái)積電、英特爾在先進(jìn)工藝上取得較快進(jìn)展，現(xiàn)已量產(chǎn)14納米，16納米(今年中期也將量產(chǎn))，并開(kāi)始向10納米挺進(jìn)。相對(duì)而言，中芯國(guó)際28納米量產(chǎn)仍不順暢。有人認(rèn)為中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，至少是晶圓制造上，又與國(guó)際先進(jìn)水平間的差距拉大了。對(duì)此您如何看待?
　　
　　葉甜春：這個(gè)問(wèn)題要全面來(lái)看。以前我們常說(shuō)中國(guó)集成電路與國(guó)際水平相差二代，這其實(shí)帶有一定自欺欺人的意味。一個(gè)成熟的工業(yè)產(chǎn)業(yè)就像一座金字塔，如果說(shuō)先進(jìn)工藝是塔尖的話，其他材料、裝備以及各種IP、工具就是塔基。只有有了堅(jiān)實(shí)塔基之后逐漸向上延展終形成塔尖，才是一個(gè)康健成熟的產(chǎn)業(yè)。以前我們說(shuō)與先進(jìn)水平相差二代，實(shí)際在許多基礎(chǔ)領(lǐng)域是有很多缺失的。打個(gè)比方就像是在一個(gè)金字塔的基座上插了一根旗桿去和別人的金字塔比，從單一指標(biāo)看起來(lái)好似與國(guó)際先進(jìn)水平只差了一到兩代，實(shí)際從整體上根本不能相比，差5代都不止。可是經(jīng)過(guò)這些年的努力，特別是經(jīng)過(guò)重大專項(xiàng)的實(shí)施，我們正在逐漸把這個(gè)缺失的環(huán)節(jié)彌補(bǔ)起來(lái)，也即是把金字塔的基礎(chǔ)逐步壘起來(lái)了，這個(gè)1到2代的差距是真實(shí)的差距。這是大的成就。盡管?chē)?guó)際先進(jìn)水平已經(jīng)到達(dá)14納米，可是當(dāng)我們的基礎(chǔ)夯實(shí)后，再追趕就快了，況且我們已經(jīng)在14納米等工藝節(jié)點(diǎn)上，包括工具、裝備、材料等進(jìn)行了大量布局，各項(xiàng)研發(fā)工作早就展開(kāi)了。
　　
　　至于中芯國(guó)際，28納米的量產(chǎn)爬坡本就需要一定時(shí)間，況且其面對(duì)的多是一些客戶，需要長(zhǎng)一些時(shí)間，也屬正常。他們的計(jì)劃和國(guó)際上一樣，要跳過(guò)20納米直接進(jìn)入14納米。所以，考慮到20納米是一個(gè)被放棄的技術(shù)代，實(shí)際上差距已經(jīng)縮短到1代了，而且從綜合實(shí)力和研發(fā)準(zhǔn)備來(lái)看，追趕的速度應(yīng)該會(huì)很快。
　　
　　在世界技術(shù)前沿尋找突破點(diǎn)
　　
　　近年來(lái)微電子所在14納米至7納米工藝技術(shù)帶上進(jìn)行了大量關(guān)鍵工藝的研發(fā)，比如14納米FinFET器件等。
　　
　　記者：中科院微電子所近年在技術(shù)研發(fā)上取得哪些進(jìn)展?將有哪些新的舉措?
　　
　　葉甜春：中科院微電子所的創(chuàng)新理念是要在國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)鏈建設(shè)與戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展中尋找定位，同時(shí)面向世界前沿的微電子技術(shù)創(chuàng)新中尋找突破點(diǎn)。就集成電路先導(dǎo)技術(shù)領(lǐng)域而言，近年來(lái)微電子所在14納米至7納米工藝技術(shù)帶上進(jìn)行了大量關(guān)鍵工藝的研發(fā)，取得了一定的成績(jī)，比如在22納米高k介質(zhì)/金屬柵工程、14納米FinFET器件等關(guān)鍵技術(shù)上就有許多突破，高k介質(zhì)/金屬柵領(lǐng)域的申請(qǐng)數(shù)世界排名第六，F(xiàn)inFET領(lǐng)域的申請(qǐng)數(shù)世界排名第十二。此外，特別是在三維存儲(chǔ)器技術(shù)上，微電子所與武漢新芯共建了中科新芯先進(jìn)存儲(chǔ)器聯(lián)合研發(fā)中心，在授權(quán)許可相關(guān)的基礎(chǔ)上，派出核心技術(shù)團(tuán)隊(duì)進(jìn)駐企業(yè)進(jìn)行聯(lián)合研發(fā)。這種新的模式取得了良好的效果。2015年5月，武漢新芯宣布，其3DNAND項(xiàng)目研發(fā)取得突破性進(jìn)展，個(gè)具有9層結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)測(cè)試芯片通過(guò)存儲(chǔ)器功能的電學(xué)驗(yàn)證，這項(xiàng)突破只用了8個(gè)月時(shí)間。按計(jì)劃將于今年底拿出32層結(jié)構(gòu)的測(cè)試芯片。
　　
　　另外，微電子所為了響應(yīng)國(guó)家“大眾創(chuàng)業(yè)萬(wàn)眾創(chuàng)新”的號(hào)召，近期啟動(dòng)了一項(xiàng)“微電子所創(chuàng)新計(jì)劃”的活動(dòng)，目的是鼓勵(lì)全國(guó)范圍內(nèi)高校在校學(xué)生、研究生和社會(huì)研發(fā)人員開(kāi)展新產(chǎn)品、新技術(shù)和新服務(wù)的研發(fā)，可以利用微電子所現(xiàn)有的科研平臺(tái)、經(jīng)費(fèi)和場(chǎng)地，支持有志于在微電子技術(shù)領(lǐng)域有創(chuàng)新思想的人員開(kāi)展活動(dòng)。只要通過(guò)評(píng)估，具體方式分為三個(gè)階段進(jìn)行：階段是以新產(chǎn)品為目的的創(chuàng)新技術(shù)研發(fā)，時(shí)間為6個(gè)月，微電子所將提供研發(fā)經(jīng)費(fèi)以及前道、后道、測(cè)試和設(shè)計(jì)支持;第二階段，以產(chǎn)品開(kāi)發(fā)和市場(chǎng)應(yīng)用為目的，在階段一的基礎(chǔ)上，通過(guò)評(píng)估，時(shí)間為12到18個(gè)月，微電子所提供研發(fā)經(jīng)費(fèi)以及前道、后道、測(cè)試和設(shè)計(jì)支持;第三階段，以市場(chǎng)應(yīng)用為目的，時(shí)間一年半，微電子所協(xié)助融資。
　　
　　目前，社會(huì)上有創(chuàng)新想法的人很多，有些理念也很好?？墒沁@些想法往往不完整，也缺乏技術(shù)手段和資金去實(shí)現(xiàn)。這些有創(chuàng)意的人，在落實(shí)創(chuàng)新想法的過(guò)程中，需要技術(shù)支撐，需要投融資服務(wù)。在國(guó)家倡導(dǎo)創(chuàng)新，營(yíng)造創(chuàng)新氛圍的背景下，國(guó)有的科研院所可以發(fā)揮哪些作用?我們認(rèn)為微電子所與社會(huì)上的一般的創(chuàng)新孵化平臺(tái)不同之處是有更豐富的設(shè)備和技術(shù)實(shí)力，不僅能夠提供各種開(kāi)發(fā)過(guò)程中的設(shè)備，而且有專業(yè)的導(dǎo)師進(jìn)行輔導(dǎo)，也就是說(shuō)有一支團(tuán)隊(duì)在進(jìn)行支持。