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11月7日消息，據報道，美國麻省理工學院團隊利用超薄半導體材料，成功研制出一種全新的納米級3D晶體管。
這款晶體管堪稱迄今為止最小的3D晶體管，其性能與功能不僅與現有硅基晶體管不相上下，甚至在某些方面還實現了超越。
晶體管作為現代電子設備和集成電路不可或缺的基石，承擔著放大和開關電信號等多重關鍵任務。
然而，長久以來，硅基晶體管一直無法在過低的電壓條件下正常工作，這無疑成為其性能提升與應用范圍拓展的一大障礙。
為了攻克這一難題，麻省理工學院的科研團隊獨辟蹊徑，選用了由銻化鎵和砷化銦構成的超薄半導體材料，精心打造出這款新型3D晶體管。該晶體管不僅性能達到了當前硅晶體管的頂尖水平，更能在遠低于傳統晶體管的電壓下實現高效運作。
此外，團隊還創(chuàng)新性地將量子隧穿原理融入晶體管的架構設計之中。在量子隧穿效應的作用下，電子能夠輕松穿越能量勢壘，而非像以往那樣需要翻越，從而極大地提升了晶體管開關的靈敏度。為了進一步優(yōu)化晶體管的尺寸，科研人員精心構建出直徑僅為6納米的垂直納米線異質結構，使得晶體管更加小巧精致。
經過嚴格的測試驗證，這款新型晶體管在狀態(tài)切換方面展現出了卓越的性能，其速度之快、效率之高令人矚目。與同類隧穿晶體管相比，其性能更是實現了20倍的大幅提升。
這款晶體管充分利用了量子力學的獨特優(yōu)勢，在極其有限的幾平方納米空間內，同時實現了低電壓操作與高性能表現的完美融合。得益于其微小的尺寸，未來可以在計算機芯片上封裝更多的此類晶體管，從而為研制出性能更為強大、能耗更低且功能更加豐富的電子產品奠定堅實的基礎。
浙公網安備 33010602000006號
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