摘要：日前，意法半導體的1200V絕緣柵雙極晶體管(IGBT,Insulated-Gate Bipolar Transistors)借助第二代溝柵式場截止型高速技術提升太陽能逆變器、電焊機、不間斷電源和功率因數(shù)校正(PFC,Power-FactorCorrection)轉換器等應用的能效和耐用性。
　　
　　意法半導體的新H系列1200VIGBT將關斷損耗和導通損耗降低多達15%。飽和電壓(Vce(sat))減低至2.1V(在標準集極電流和100°C下的典型值)，這能確?？傮w損耗降至zui低，在20kHz開關頻率下更地工作。
　　
　　此外，新款1200VIGBT提供集成高速恢復反并聯(lián)二極管的選項，以助力開發(fā)人員優(yōu)化硬開關電路的性能，使用續(xù)流二極管大幅降低開關電路的能源損耗。
　　
　　新款IGBT的耐用性*，當實際電流是標準電流的四倍時無閂鎖效應，短路時間極短，僅5µs(在150°C初始結溫時)。zui大工作結溫擴大到175°C，有助于延長產品的使用壽命，簡單化系統(tǒng)散熱設計。寬安全工作區(qū)(SOA，SafeOperatingArea)提升大功率應用的工作可靠性。
　　
　　優(yōu)異的防電磁干擾(EMI，electromagneticinterference)是新產品的另一大優(yōu)點，這歸功于新系列產品在開關過程中取得近乎理想的波形，令競爭產品*。Vce(sat)的正溫度系數(shù)，結合器件之間參數(shù)分布緊密，使其在大功率應用中實現(xiàn)更安全的并行工作。
　　
　　意法半導體的H系列IGBT現(xiàn)已量產，采用TO-247封裝，有1、2和40A三個型號。