GBT是一種由雙極晶體管與MOSFET組合的器件，既具有MOSFET的柵極電壓控制快速開關(guān)特性，又具有雙極晶體管大電流處理能力和低飽和壓降的特點，作為高功率大電流的電能變換功率開關(guān)器件得到了廣泛的應(yīng)用.IGBT的門極驅(qū)動電路影響IGBT的通態(tài)壓降、開關(guān)時間、開關(guān)損耗、承受短路電流能力及du/dt等參數(shù)，并決定了IGBT的靜態(tài)與動態(tài)特性.因此，設(shè)計高性能的驅(qū)動與保護(hù)電路是安全使用IGBT的關(guān)鍵技術(shù).日本FUJI公司的EXB841芯片是一種典型的適用于300A以下IGBT的驅(qū)動電路，具有單電源、正負(fù)偏壓、過流檢測、保護(hù)、軟關(guān)斷等主要特性，在國內(nèi)外得到了廣泛應(yīng)用，但在中高頻逆變電路的實際應(yīng)用中還存在一些不足，導(dǎo)致IGBT的誤導(dǎo)通或誤關(guān)斷，嚴(yán)重影響了設(shè)備的穩(wěn)定性與可靠性.因此，基于EXB841的驅(qū)動電路優(yōu)化設(shè)計成為了人們研究的重要內(nèi)容.大多數(shù)文獻(xiàn)提出了采用高壓降檢測二極管或穩(wěn)壓管與二極管反向串接等方法降低動作閾值，但調(diào)整受到較大限制.
本文在詳細(xì)研究EXB841電路結(jié)構(gòu)與工作原理的基礎(chǔ)上，設(shè)計了一種優(yōu)化驅(qū)動電路.該電路應(yīng)用在大功率全橋逆變DBD型臭氧發(fā)生電源中，使用效果證明該優(yōu)化電路解決了典型電路存在的問題，如電源在極小電流時的虛假過流報警、逆變橋直通，進(jìn)一步提高了EXB841驅(qū)動的可靠性.

1 驅(qū)動芯片EXB841
圖1所示為EXB841的內(nèi)部電路和典型應(yīng)用電路圖，主要有3個工作過程：正常開通過程、正常關(guān)斷過程和過流保護(hù)動作過程.14和15兩腳間外加PWM控制信號，當(dāng)10～15V的正向觸發(fā)控制脈沖電壓施加于15和14腳時，在GE兩端產(chǎn)生約16 v的IGBT開通電壓；當(dāng)觸發(fā)控制脈沖電壓撤消時，在GE兩端產(chǎn)生約-5.1 V的IGBT關(guān)斷電壓.過流保護(hù)動作過程是根據(jù)IGBT的CE極間電壓Uce的大小判定是否過流而進(jìn)行保護(hù)的，Uce由二極管V7檢測.當(dāng)IGBT開通時，若發(fā)生負(fù)載短路等產(chǎn)生大電流的故障，Uce上升很多，會使得二極管V7截止，EXB841的6腳“懸空”，B點和C點電位開始由約6 V 上升，當(dāng)上升至13 V 時，Vs1被擊穿，V3導(dǎo)通，C4通過R7和V3放電，E點的電壓逐漸下降，V6導(dǎo)通，從而使IGBT的GE間電壓Uge下降，實現(xiàn)緩關(guān)斷，完成EXB841對IGBT的保護(hù).E點電位Ue為-5.1 V，由EXB841內(nèi)部的穩(wěn)壓二極管Vs2決定.

圖1 EXB841內(nèi)部電路與典型應(yīng)用
作為IGBT的驅(qū)動芯片，EXB841有著很多的優(yōu)點，但也存在著不足：
1)過流保護(hù)閾值太高：由EXB841實現(xiàn)過流保護(hù)的過程可知，EXB841判定過流的主要依據(jù)是6腳電壓.6腳電壓U6不僅和Uce有關(guān)，還和二極管V7的導(dǎo)通電壓Ud及Ue有關(guān)，V7在0.5～0.6 V時即可開通，故過流保護(hù)閾值Uceo=U6-Ud-Ue=13V-0.6V-5.1V=7.3V.通常IGBT在通過額定電流時導(dǎo)通壓降Uce為3.5V，當(dāng)Uce=Uceo =7.5 V時。IGBT已嚴(yán)重過流，對應(yīng)電流約為額定電流的2～3倍，因此，應(yīng)降低Uceo.
2)負(fù)偏壓不足：EXB841為了防止較高dv/dt引起IGBT誤動作設(shè)置了負(fù)柵壓，實際負(fù)柵壓值一般不到-5 v.在大功率臭氧電源等具有較大電磁干擾的全橋逆變應(yīng)用中，電磁干擾使負(fù)柵壓信號中存在隨工作電流增大而增大的干擾尖鋒脈沖，其值可超過6V，甚至達(dá)到8-9 V，能導(dǎo)致截止的IGBT誤導(dǎo)通，造成橋臂直通.因此，有必要適當(dāng)提高負(fù)偏壓.實際表明，在合理布局的基礎(chǔ)上，需采用8V左右的負(fù)偏壓.
3)存在虛假過流：一般大功率IGBT的導(dǎo)通時間ton在1us左右.實際上，IGBT導(dǎo)通時尾部電壓下降是較慢的，實驗表明，當(dāng)工作電壓較高時，Uce下降至飽合導(dǎo)通壓降約需4～5 s，而過流檢測的延遲時間約為2.7 s.因此，在IGBT開通過程中，若過流保護(hù)動作閾值太高，會出現(xiàn)虛假過流.為了識別真假過流，5腳的過流故障輸出信號應(yīng)延時5us，以便外部保護(hù)電路對真正的過流進(jìn)行保護(hù)，在EXB841完成內(nèi)部軟關(guān)斷后再封鎖外加PWM信號.
4)過流保護(hù)無自鎖功能：在出現(xiàn)過流時，EXB841將正常的驅(qū)動信號變成一系列降幅脈沖實現(xiàn)IGBT的軟關(guān)斷，并在5腳輸出故障指示信號，但不能封鎖輸入的PWM控制信號.因5腳輸出信號無鎖存功能，須在發(fā)生真正的過流時，用觸發(fā)器鎖定故障輸出信號，用外部電路實現(xiàn)對系統(tǒng)的保護(hù)和停機(jī).
5)軟關(guān)斷不可靠：檢測到過流后，EXB841有較長的軟關(guān)斷時間，導(dǎo)致保護(hù)動作慢，保護(hù)效果變差.

2 驅(qū)動電路優(yōu)化設(shè)計
針對上述EXB841典型應(yīng)用中存在的不足，在設(shè)計臭氧逆變電源中，研究與設(shè)計了圖2所示的基于EXB841的優(yōu)化驅(qū)動電路，包括外部負(fù)柵壓成型電路、過流檢測電路、虛假過流故障識別與故障信號鎖存電路.

圖2 EXB841的優(yōu)化驅(qū)動電路
2.1 外部負(fù)柵壓成型電路
IGBT柵射極的驅(qū)動電壓大小需根據(jù)不同的應(yīng)用場合作出積極的調(diào)整.本設(shè)計中，將IGBT的射極E改為與外部負(fù)柵壓成型電路的輸出直接相連，用外接8V穩(wěn)壓管Vs02代替EXB841內(nèi)部的穩(wěn)壓管Vs2，限流電阻R012為4.7 kΩ，在穩(wěn)壓管兩端并聯(lián)了兩個電容值分別為10uF(C05)和0.33uF(C06)的去耦濾波電容.為防止柵極驅(qū)動電路出現(xiàn)高壓尖峰，在柵射極間并聯(lián)了反向串接的16 V(Vs04)與8 V(Vs05)穩(wěn)壓二極管.
負(fù)偏壓和保護(hù)特性是互相影響的.在通過外接穩(wěn)壓管提高負(fù)偏壓時，正向驅(qū)動電壓將下降.因為受內(nèi)置檢測穩(wěn)壓二極管Vs1穩(wěn)壓值的限制，負(fù)偏壓和保護(hù)閾值電壓之和不得高于13 V，否則將被視為過流狀態(tài)而不能正常工作.因此，在提高負(fù)偏壓的同時，為保證可靠穩(wěn)定的工作，采用24 V單獨直流電源供電以提高正向控制電壓.
為了改善控制脈沖的前后沿陡度和防止震蕩，減少IGBT集電極大的電壓尖脈沖，需在柵極串聯(lián)電阻Rg .Rg增大會使IGBT的通斷時間延長，能耗增加，但在IGBT關(guān)斷時，可以延長關(guān)斷時問以便減小過電壓，防止較大的du/dt導(dǎo)致IGBT發(fā)生擎住效應(yīng)；減小Rg又會加大電流的變化率，可能引起誤導(dǎo)通或損壞IGBT，故應(yīng)合理設(shè)計柵極串聯(lián)電阻Rg .優(yōu)化驅(qū)動電路采用了不對稱的開啟和關(guān)斷方法.在IGBT開通時，EXB841的3腳提供+16 V電壓，電阻Rg1經(jīng)二極管V03和Rg2并聯(lián)使Rg值較小，有利于減小IGBT的開通時間和開通損耗，在IGBT關(guān)斷時，EXB841內(nèi)部的V5導(dǎo)通，3腳電平為0，優(yōu)化驅(qū)動電路在IGBT的E極提供-8 V電壓，使二極管V03截止，Rg=Rg2具有較大值，并用30 kΩ的電阻Rge和30 pF電容并聯(lián)抑制干擾.