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該研究的、布朗大學(xué)化學(xué)系助理教授克里斯蒂·克斯基表示,硅基化合物是現(xiàn)代電學(xué)處理過程的基石,硅碲化物是其中一員,我們發(fā)明的全新方法可用來制造擁有多層結(jié)構(gòu)的二維納米材料??怂够鶊F(tuán)隊(duì)通過氣相沉積方法在一個(gè)管式爐中合成出了這些新材料。當(dāng)硅和碲化物在管子中被加熱時(shí),會(huì)蒸發(fā)并反應(yīng),制造出一種前體化合物,這種前體化合物接著被氬氣沉積在基座上,隨后,硅碲化物就從該前體化合物中生長出來。通過改變?nèi)蹱t的溫度并對(duì)基座進(jìn)行不同的處理,研究人員zui終制造出了納米帶和納米板,納米帶的寬度約為50到1000納米,長度為10微米。而且,不同材料擁有不同的結(jié)構(gòu),其晶格也有不同的排列方式,因此擁有不同的屬性和用途。
研究人員也證明,可以使用不同的基座,將不同材料摻雜(在摻雜過程中,細(xì)小的雜質(zhì)被引入材料內(nèi),從而改變材料的電學(xué)屬性)進(jìn)入這些納米材料內(nèi)。在研究中,研究人員通過實(shí)驗(yàn)證實(shí),當(dāng)硅碲化物在藍(lán)寶石基座上生長時(shí),可向其中摻雜鋁,這一過程可以將材料從P型半導(dǎo)體變成N型半導(dǎo)體(攜帶負(fù)電荷)。研究人員還指出,新方法得到的材料不僅穩(wěn)定,而且容易被改進(jìn)。他們計(jì)劃對(duì)得到的納米材料的電學(xué)和光學(xué)屬性進(jìn)行測(cè)試。
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