納米材料高溫原位表征及測(cè)試方案

通過(guò)MEMS芯片在原位樣品臺(tái)內(nèi)對(duì)樣品構(gòu)建精細(xì)熱場(chǎng)自動(dòng)調(diào)通過(guò)MEMS芯片在原位樣品臺(tái)內(nèi)對(duì)樣品構(gòu)建精細(xì)熱場(chǎng)自動(dòng)調(diào)控及反饋測(cè)量系統(tǒng)，并結(jié)合TEM/SEM研究材料在不同熱場(chǎng)條件下發(fā)生結(jié)構(gòu)相變、形貌變化、物性變化以及電性變化等關(guān)鍵信息。

測(cè)試面臨的挑戰(zhàn)：

傳統(tǒng)的二線(xiàn)制電阻測(cè)量方式容易引入附加誤差，降低MEMS芯片控溫的晶準(zhǔn)度。材料測(cè)試所能承受的電流超小，低至nA甚至pA，測(cè)試設(shè)備需要具備小電流的測(cè)量能力。

普賽斯S/P系列源表為原位表征提供晶準(zhǔn)熱場(chǎng)控制及電性能測(cè)量:
標(biāo)配四線(xiàn)制測(cè)量端口;
提供多個(gè)電流量程，量程越低，精度越高;
蕞低1pA電流分辨率，源測(cè)精度高達(dá)0.03%。

武漢普賽斯是國(guó)內(nèi)醉早生產(chǎn)源表的廠家，產(chǎn)品系列豐富：產(chǎn)品覆蓋不同的電壓、電流范圍，產(chǎn)品已經(jīng)過(guò)了市場(chǎng)的考驗(yàn)，市場(chǎng)應(yīng)用率高；SXXB系列高精度數(shù)字源表，相比于傳統(tǒng)S系列源表，直流更大、精度更高、準(zhǔn)確度提升至±0.03%，直流電流升級(jí)至3A，PX00B系列蕞大脈沖輸出電流達(dá)30A，蕞大輸出電壓達(dá)300V，支持四象限工作，可為半導(dǎo)體行業(yè)提供更加精準(zhǔn)、穩(wěn)定的測(cè)試方案，歡迎隨時(shí)咨詢(xún)！